Gejtom iskljuiv tiristor -GTO

Slika 1. Popreni presjek (a), dvotranzistorski model (b) i simbol GTO tiristora (c).

GTO (engl. Gate Turn-Off) je gejtom iskljuiv tiristor. Dakle, to je tiristor koji se i ukljuuje i iskljuuje preko gejta. Njegov presjek, dvotranzistorski model i simbol prikazani su na sl.1.
Da bi dolo do regenerativnog procesa, oba tranzistora, pri iskljuivanju, moraju da budu u aktivnoj oblasti. Dakle, struja baze tranzistora Tn mora da bude manja od struje baze zasienja, tj.:
I Bn = a p I A I G I Bns 1 apI A = n .

(1)

Iz (1) proizlazi da je minimalna negativna struja gejta, potrebna za iskljuivanje tiristora, odreena sa:
IG a p + an 1 an IA .

(2)

Prema tome, principijelno je mogue svaki tiristor iskljuiti preko gejta. Meutim, za to bi bila potrebna veoma velika struja gejta, koja je ak vea od anodne struje. Tako, recimo, ako su an=ap=0.95, onda je, prema (2), IG0.95IA.

Odnos anodne struje i struje gejta potrebne za iskljuenje, esto se naziva strujno pojaanje iskljuenja, koje je odreeno sa:

AI =

IA IG

an an a p 1

(3)

Veliko pojaanje an i malo aP kod GTO tiristora ostvaruje se tehnoloki na nekoliko naina. Popreni presjek mogue strukture GTO tiristora prikazan je na sl.1. Povrina p-emitora je mala, pa je i ap malo. S druge strane, n-emitor okruuje gejt, pa je njegova efektivna povrina velika, a time je veliko i pojaanje an.

Slika 2. Okidni kolo GTO tiristora

MCT (MOS tiristor)

A A

Tp
Mn

G b)

K R0

V AA

Tn
G

R BE

c)

CM OS
C

R K a) d)
D

Sl.3. Tranzistorski model (a), simbol (b) i CMOS pobudeMCT-a: jednostavna (c) i optimalna (d)

MCT (engl. Mos-Controlled Thyristor) je tiristor upravljan MOS tranzistorima. esto se oznaava sa MOS SCR. Ovo je jedna od novijih tiristorskih tehnologija. Tranzistorski model MCT-a prikazan je na sl.3. Dovoenjem pozitivnog impulsa na gejt NMOS tranzistora Mn , ukljuuje se regenerativi prekida koga ini par komplementnih bipolarnih tranzistora, Tn i TP. im Mn provede, poinje da vodi i Tp. Njegova struja kolektora na otporniku Rbe stvara pad napona kojim se ukljuuje i Tn. Tada nastupa regenerativni proces, pa okidni impuls nema vie nikakvo efektivno djelovanje. Znaajna prednost MCT-a je u tome to je ulazna otpornost gejta veoma velika (reda 109W), pa se moe pobuivati signalima veoma male snage. Zahvaljujui tome, moe se direktno okidati sa izlaza CMOS bafera (sl.33c). Ulaz MOS tranzistora je kapacitivnog karaktera. Zbog toga je napon na gejtu eksponencijalan, to usporava ukljuivanje tiristora. Da bi se taj kondenzator bre punio, obino se koristi pobudno kolo s nekoliko parelelno povezanih bafera. Ako se eli skokovita pobuda na gejtu, to je poeljno kada je okidni impuls veoma uzak, onda se koristi ubrzavajui kondenzator C (sl.3d). Paralelno s njim prikljuuje se otpornik R i dioda D, koji omoguavaju pranjenje kondenzatora C i nisku impedansu izmeu gejta i katode tiristora u iskljuenom stanju. Otpornost se kree u granicama od 1kW do nekoliko desetaka kW, a kapacitivnost C od 1nF do 10nF.

Fototiristor
Fototiristori su svjetlou ukljuive komponente. Oni su po svojim elektrinim i fizikim karakteristikama potpuno identini sa standardnim tiristorima pobuivanim elektrinim signalom.

Razlika je samo u pobudi. Veina fototiristora ima izveden i prikljuak gejta. On se koristi za dodatno upravljanje kojim se regulie osjetljivost na potreban nivo svjetlosnog signala.
Praktino, jedina konstruktivna razlika izmeu fototiristora i standardnih tiristora je u tome to fototiristori na jednom dijelu kuita, obino na gornjoj strani poklopca, imaju ugraeno optiko soivo preko koga se vri svjetlosno aktiviranje.

Diak - DIAC (engl. DIode AC switch)

Njegov presjek i statika karakteristika izgledaju kao na sl.4. On praktino sadri dvije antiparalelno vezane etveroslojne diode. Naime, oblast P1 i N3 te P2 i N2 su kratko spojene. Kada je VAK>0, pn spoj J4 inverzno je polarisan, pa se lijeva polovina komponente ponaa kao etveroslojna dioda s kratko spojenim pn spojem J3. Pri proboju spoja J2 struja kroz njega, u poetku, skree, paralelno sa spojem J3, prema katodi. Usljed toga, na spoju P2 stvara se pad napona, koji direktno polarie spoj J3. Tako oblast N2 postaje aktivna, to dovodi do uspostavljanja regenerativnog procesa i prelaska komponente u provodno stanje. Spoj J3 je stalno inverzno polarisan i nema nikakvog uticaja. Ako je, meutim, VAK<0, spoj J3 je inverzno polarisan, a J4 je kratko spojen. Sada se lijeva strana ponaa kao etveroslojna dioda. Kada doe do proboja spoja J1, struja kroz njega skree paralelno sa spojem J4, jer je on nepolarisan. Ta struja stvara pozitivni pad napona na oblasti P1 i tako direktno polarie spoj J4. Usljed toga i oblast N3 postaje aktivna. Ako su probojni naponi spojeva J1 i J2 jednaki, onda su statike karakteristike u I i III kvadrantu potpuno simetrine (sl.4b).

Dakle, diak moe da vodi struju u oba smjera, od AK i od KA, to zavisi od polariteta prikljuenog napona. Zbog toga se vanjski prikljuci najee ne zovu anoda i katoda, jer to ima smisla samo kod jednosmjernih komponenata. Uobiajeni naziv je "glavni izvodi" i oznaavaju se sa MT1 i MT2 (engl. Main Terminal). Ponekad se oznaavaju jednostavno sa A 1 i A 2. Diak je komponenta relativno male snage. Prelomni naponi su obino nekoliko desetaka V. Diak se koristi kao prekidaki element u raznim impulsnim kolima, a najee u okidnim kolima triaka.

V V V V

Slika 4. Popreni presjek (a), I-V karakteristika (b) i simbol diaka (c).

Triak - TRIAC (engl. TRIode AC switch)

Triak - je dvosmjerni regenerativni prekida naizmjenine struje s tri prikljuka. Praktino, to je komponenta koja se sastoji od dva antiparalelna SCR-a sa zajednikim gejtom. Razlika u odnosu na triodni tiristor-SCR je, dakle, u tome to triak moe da vodi u oba smjera, od AK i od KA. Stoga se, kao i kod diaka, prikljuci optereenja nazivaju glavnim izvodima i oznaavaju se sa MT1 i MT2, pri emu je MT1 referentna elektroda. Presjek triaka prikazan je na sl.5a.
M T2 N3 P1 N1 P2 N G a) N2 M T1 b) c) I G1 I G2 I G3 I G3 I G2 I G1 V I G3 > I G2 > I G1 G M T1 M T2 I

Slika 5. Popreni presjek (a), I-V karakteristika (b) i simbol triaka (c).

Kada je MT2 pozitivniji od MT1, aktivna je tiristorska struktura P1N1P2N2. Podruje P2 ima ulogu gejta. Spoj P1N3 je inverzno polarisan, pa je oblast N3 pasivna. Ako je MT2 negativnija od MT1, aktivna je etveroslojna struktura P2N1P1N3. Oblast N2 je sada, zbog inverzne polarizacije, pasivna. Gejt prekriva oblasti P2 i N tako da su mogua etiri naina rada triaka
I kvadrant - gejt pozitivan. Gejt (oblast P2) je direktno polarisan i ponaa se kao gejt "normalnog" tiristora. Oblast P2 injektuje upljine, a N2 elektrone to dovodi do ukljuenja tiristorske strukture P1N1P2N2. I kvadrant - gejt negativan. Gejt je negativan u odnosu na elektrodu MT1. Zbog toga je N oblast gejta direktno polarisana i injektuje elektrone u oblasti P2. Struja gejta tee od P2 ka N i stvara u P2 oblasti pad napona koji direktno polarie dio P2-N2. Ovo, takoe, dovodi do ukljuenja strukture P1N1P2N2. Naravno, za to je potrebna vea struja gejta nego u sluaju kada je gejt pozitivan.

III kvadrant - gejt negativan. U ovom sluaju prikljuak MT1 je pozitivniji od MT2, pa je smjer struje ukljuenog triaka MT1MT2. Gejt je negativan u odnosu na MT1, usljed ega je oblast N-P2 direktno polarisana, tako da dolazi do injekcije elektrona iz N u P2. Ovi elektroni su "pokupljeni" od spoja P2-N1 to dovodi do okidanja tiristorske strukture P2N1P1N3.

III kvadrant - gejt pozitivan. Sada je gejt pozitivan u odnosu na elektrodu MT1. Aktivni dio gejta je oblast P2 izmeu N i N2. Spoj P2-N2 direktno je polarisan i emituje elektrone koje "skuplja" spoj P2-N1. To, kao u prethodnom sluaju, dovodi do ukljuenja triaka. Nakon ukljuenja, oblast N2 ne uestvuje u provoenju, jer struja upljina tee u pravcu metalizacije. Okidanje triaka. Kola za okidanje su slina kao kod SCR-a, s tim da se triak moe okidati i pozitivnim i negativnim impulsima, u toku pozitivne ili negativne poluperiode naizmjeninog napona. Stoga su za okidanje triaka veoma aktuelni dvosmjerni (bilateralni) prekidaki elementi.
i0 R0 R1 Pr Pr a) b) i0

220V 50H z

TAC

Sl.6. Okidno kolo triaka sa zajednikim napajanjem (a) i talasni oblici struje optereenja (b).

V VI V V

Sl.7. Okidno kolo s dvosmjernim regenerativnim prekidaem (a) i talasni oblici napona na ulazu VI, optereenju Vo i kondenzatoru V1.